6H SiC Yonga Levhalarında İstifleme Hataları: Alıcıların Bilmesi Gerekenler
Jan 14, 2026
İstifleme hatası yoğunluğu, 6H SiC levhanın birim alanı başına düşen istifleme hatası sayısıdır ve genellikle cm² başına rapor edilir. İstifleme hatası, atomik katmanların normal ABCACB dizisinin bozulduğu düzlemsel bir kusurdur. Daha yüksek bir yoğunluk, kaçak akımı artırabilir ve taşıyıcının ömrünü kısaltabilir ve ileri yönde öngerilim altında bazı arızalar büyüyerek bipolar cihazları bozabilir.
İstifleme hatası nedir
Silisyum karbür birçok politipte mevcuttur. Aynı kimyayı paylaşıyorlar ve yalnızca Si-C çift katmanlarının istiflenmesinde farklılık gösteriyorlar. 6H SiC her altı katmanda bir (ABCACB) ve 4H SiC her dört katmanda bir (ABCB) tekrarlanır. Bir katman yanlış pozisyona girdiğinde, ince bir kristal levha farklı bir yerel istiflenmeyle sonuçlanır. Bu levha bir istifleme hatasıdır. Bant yapısı çevredeki 6H kristalinden biraz farklı olduğundan yük taşıyıcılarını yakalayabilir veya yeniden birleştirebilir.
İstifleme hatası yoğunluğu nasıl ölçülür?
- Fotolüminesans (PL) görüntüleme veya haritalama.İstifleme hataları, ana kristalden farklı dalga boylarında yayılır, böylece tüm levha boyunca PL haritalarında görünürler. Bu, tam levha muayenesi için en pratik yöntemdir.
- X-ışını topografyası.Plakaya zarar vermeden geniş alanlardaki genişletilmiş kusurları gösterir.
- Transmisyon elektron mikroskobu (TEM).Atomik çözünürlükteki bireysel hataları gösterir, ancak yalnızca küçük bir örnekte. Rutin inceleme için değil analiz için kullanılır.
Farklı tedarikçilerden gelen sayıları karşılaştırırken yöntemi, haritalanan alanı ve kenar hariç tutmayı kontrol edin. Farklı yöntemlerden elde edilen sonuçlar doğrudan karşılaştırılamaz.
İstifleme hatalarına ne sebep olur?
Kristal büyüme koşulları
Çoğu SiC topları fiziksel buhar aktarımı (PVT) yoluyla büyütülür. Sıcaklık değişimleri, kararsız büyüme oranları ve Si/C oranındaki dalgalanmalar katmanların hatalı şekilde istiflenmesini kolaylaştırır. Ayrıca diğer politiplerin de dahil olmasına neden olabilirler.
Tohum kalitesi
Tohum kristalindeki kusurlar boule'ye taşınma eğilimindedir. Bazal düzlem dislokasyonları özellikle endişe vericidir çünkü daha sonra istifleme hatalarına dönüşebilirler.
Kirlilikler ve doping
Kontrolsüz safsızlıklar ve tekdüze olmayan katkılama, yerel büyüme koşullarını değiştirir ve kusur yoğunluğunu artırabilir.
Gofret işleme
Dilimleme ve öğütme yüzey altı hasarı bırakır. Parlatma ve CMP'nin bu hasarı tamamen ortadan kaldırması gerekir, aksi takdirde cihaz üreticisinin üzerine inşa ettiği yüzeyde kalan gerilim ve çizikler kalır.
Yığınlama hataları cihaz performansını nasıl etkiler?
Elektrik
İstifleme hataları, rekombinasyon ve tuzaklama bölgeleri görevi görür. Diyotlarda bu durum daha yüksek ters sızıntı olarak ortaya çıkabilir. Bipolar cihazlarda, rekombinasyon enerjisi, ileri akım altında bazı arızaların büyümesine neden olabilir ve bu da zamanla ileri gerilimi yükseltir. Bipolar bozunma olarak bilinen bu etki SiC'de iyi bir şekilde belgelenmiştir.
Optik
Arızalar bant aralığının içine enerji seviyeleri ekler ve emisyonu ve emilimi değiştirir. Bu, 6H SiC'nin optoelektronik cihazlar için bir substrat olarak kullanıldığı durumlarda önemlidir.
Epitaksi ve verim
Yüzeydeki kusurlar epitaksiyel katmana taşınabilir ve hatalı her kalıp potansiyel bir reddedilmedir.
6 saat mi yoksa 4 saat mi?
Mevcut güç cihazlarının çoğu için, c ekseni boyunca daha yüksek elektron hareketliliği nedeniyle 4H SiC olağan seçimdir. 6H SiC hala araştırmada, bazı optoelektronik çalışmalarda ve bazı alt tabaka uygulamalarında kullanılmaktadır. Bizimkilere bakın4H SiC levha sayfasıeğer ikisi arasında karar veriyorsanız.
Gofret tedarikçinize ne sormalısınız?
- İstifleme hatası yoğunluğu belirtilmiş mi, yoksa yalnızca mikropipe ve dislokasyon yoğunluğu mu?
- Hangi yöntem ve haritalama alanı kullanılıyor?
- Teslim edilen partiye ait muayene haritalarını paylaşabilir misiniz?
Zhonggui Yarıiletken dilimler, öğütür, eğim verir ve cilalar (CMP)SiC gofretleriYangzhou'da 100. sınıf bir temiz odada şirket içi. Bu soruları sorunuzla birlikte gönderin, siparişiniz için hangi verilerin mevcut olduğunu size söyleyelim.
SSS
Arıza yoğunluğunu istiflemek için hangi birimler kullanılır?Genellikle cm² (alansal) başına hatalar. Bazı kesit çalışmaları cm başına doğrusal yoğunluk kullanır.
İstifleme hataları büyümeden sonra giderilebilir mi?Genellikle hayır. Esas olarak kristal büyümesi ve tohum seçimi aşamalarında kontrol edilirler.
Daha düşük yoğunluk her zaman daha mı iyidir?Elektronik ve optik cihazlar için evet. Maliyeti ve gerçek cihaz ihtiyaçlarınızı karşılaştırın.